Silizium-Halbleitertechnologie

Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.

Der Inhalt

Herstellung von Siliziumscheiben

Oxidation des dotierten Siliziums

Lithografie

Ätztechnik

Dotiertechniken

Depositionsverfahren

Metallisierung und Kontakte

Scheibenreinigung

MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

Erweiterungen zur Höchstintegration

Transistoren mit Nanometer-Abmessungen

Bipolar-Technologie

Montage integrierter Schaltungen

Die ZielgruppenStudierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Materialwissenschaften, Mikrosystemtechnik, Informatik und PhysikProzessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler

Der AutorProf. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

Über den Autor und weitere Mitwirkende

Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.